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    碳化硅磚產(chǎn)品在結(jié)晶過(guò)程中，用物相反襯式顯微鏡對(duì)工業(yè)爐制取SiC粗單晶表面進(jìn)行觀察，發(fā)現(xiàn)許多螺旋狀生成物。
     采用復(fù)射線干涉儀方法測(cè)定了6H-a結(jié)晶上的螺旋狀生成物螺距的高度，并證明其高度等于該變體原晶格的參數(shù)。根據(jù)這些結(jié)果可以得出結(jié)論：碳化硅磚中產(chǎn)生各類型變體的原因，可能是由于在不同螺旋狀錯(cuò)動(dòng)層周圍生成螺旋狀生成物的緣故。
     據(jù)推測(cè)，當(dāng)氣相或熔體極大地過(guò)飽和時(shí)，表面顆粒聚集后將生成片狀晶芽，由于雜質(zhì)分布不均及熱交換不均勻，其中的內(nèi)應(yīng)力有所增加。這些因素導(dǎo)致片狀晶芽收到壓縮，直至產(chǎn)生塑性變形。如果均勻變形驟然停止，則產(chǎn)生螺旋狀錯(cuò)動(dòng)，在晶體表面形成螺旋梯段。進(jìn)一步得到發(fā)育的晶體要將具有螺旋狀梯段結(jié)構(gòu)，該梯段復(fù)現(xiàn)周期相當(dāng)于螺旋狀錯(cuò)動(dòng)的螺距。因此，不同的螺旋狀錯(cuò)動(dòng)導(dǎo)致生成各類型變體。